1、人工智能辅助晶体平界面生长控制研究 立足于扩展不可逆热力学，将弛豫效应引入到M-S动力学理论，精确推导出非平衡凝固条件下平界面生长的稳定性条件。利用人工智能算法分析大量实验数据，预测不同生长条件下的晶体质量和性能，实现自动调整生长参数（如温度、压力、掺杂剂等），以优化晶体生长过程，提高生长效率和晶体质量。 

2、晶体生长与缺陷调控研究二维受限空间内硅熔体结构、凝固行为及凝固组织性能，冷却 速度和狭缝尺寸对硅的熔体结构和凝固行为都有非常重要的影响。研究 直拉法单晶硅的大尺寸化调控工艺，相关氧杂质、缺陷控制方法。 

3、研究连续直拉法（CCz）产业化技术开发开发耐高温、抗腐蚀的连续加料系统，实现硅料连续熔融与液面稳定控制。设计高精度电磁搅拌装置，优化熔体对流与杂质分布，抑制氧含量。研制可支持12英寸以上硅棒生长的CCz单晶炉，突破大热场温度梯度控制、晶体直径闭环调节等核心技术。